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使用栅极电阻控制IGBT开关

时间:2015-10-12 17:22:23 来源: 作者: 点击:1349次

　用于控制、调节和开关的功率半导体器件需要较高的电压和较大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制，而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的15V控制电压（UG（on）），IGBT导通，负输出电压为-5、-8、-15V时，IGBT关断。IGBT的动态性能可通过栅极电阻值来调节。栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数，从电磁干扰（EMI）到电压和电流的变化率。因此，栅极电阻必须根据具体应用的参数仔细地选择和优化。

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